王凯悦
个人信息
性别：男
出生年月：1985.11
民族：汉
最高学位：博士
邮箱：wangkaiyue8@163.com
毕业院校：天津大学
专业：材料学
学科方向：材料学
研究方向与招生：聚焦半导体材料及加工领域，研究方向： 1. 半导体晶体生长新工艺（CVD、布里奇曼、离子注入）； 2. 半导体缺陷光谱学及理论计算（金刚石、SiC、蓝宝石）； 3. 光学晶体、蓝宝石、半导体等CMP材料及工艺； 4. 刚玉、金刚石、cBN等硬质磨料及陶瓷。 目前在读博士4人、硕士13人、国际生2人，欢迎对本研究方向感兴趣的同学报考。
个人简介
个人简介 王凯悦(1985.11-)，河北省东光县人，中共党员，工学博士，教授，博士生导师。天津大学与英国布里斯托大学联合培养博士，西安交通大学博士后。目前担任先进陶瓷研究所所长/学科负责人，校侨留联合会副会长，兼山西省关键基础材料协同创新中心负责人、山西省砂陶多维利用技术创新中心主任、山西省硅酸盐学会常务理事、副秘书长，国家自然科学基金项目通讯评议专家，教育部学位中心学位论文通讯评议专家，教育部评估中心本科教育教学评估专家，山西省工程系列机电专业高级工程师评审委员会委员，《稀有金属》青年编委，Appl. Phys. Lett.等多个国际期刊审稿人。
主持完成国家自然基金重点项目子课题、国家青年基金，中国博士后基金特别资助、面上资助、国际交流计划学术交流项目，省重点研发项目子课题、省留学回国择优资助（2项）、省高校科技创新项目（2项）、省青年基金、省面上基金、省留学回国科研项目、省博士后基金、省博士后科研配套、省基地人才项目等纵向课题17项，企业项目4项，省教改项目3项。发表高水平论文100余篇，授权国家发明专利3项，出版专著和教材各1部，曾受邀到英国华威、美国波士顿、德国巴伐利亚、瑞典哥德堡、西安交通大学、吉林大学等地参加学术会议20余次。曾获山西省高校教学名师，williamhill威廉希尔网址师德标兵、优秀共产党员、优秀班主任等荣誉。
教育经历
2004.09- 2008.06 河北科技大学 无机非金属材料 工学学士
2008.09-2012.06 天津大学 材料学 工学博士
2010.12-2011.12 英国布里斯托大学 凝聚态物理 国家建设高水平大学联培博士
工作经历
2020.12-至今 williamhill威廉希尔网址 教授
2025.01-2025.02 西班牙马德里自治大学 高级访问学者
2022.08-2023.07 北京大学 教育部青年骨干国内访问学者
2019.04-2020.01 美国加州州立大学 访问学者
2019.01-2019.04 美国加州大学河滨分校 访问学者
2016.11-2020.04 西安交通大学 博士后
2014.09-2020.11 williamhill威廉希尔网址 副教授
2013.11-2014.05 美国加州大学欧文分校 访问学者
2012.06-2014.08 williamhill威廉希尔网址 新教师
科研项目
科研论文
著作专利
教研成果
获奖情况
山西省人社厅、山西省留学回国择优资助项目、碳化硅原子级表面化学机械抛光及其界面反应调控机理、5万、2025.06-2027.06（在研）
山西省科技厅、山西省重点研发计划子课题、高效碳化硅晶圆抛光液制备工艺开发及应用、10万、2025.01-2027.12（在研）
国家自然科学基金委、重点项目子课题、超大尺寸电子级金刚石制备及其表界面封接-金刚石与过渡金属结合机理及其热应力仿真、60万、2022.01-2025.12（在研）
太原市万柏林区、专利导航项目、基于第三代半导体SiC外延生长技术专利导航项目、5万、2024.09-2025.04（结题）
山西省科技厅、山西省自然科学基金面上项目、离子注入法制备磷掺杂金刚石半导体材料、8万、2023.01-2025.12（结题）
山西省人社厅、山西省留学回国择优资助项目、MeV级电子束辐照铝掺杂碳化硅晶片研究、5万、2020.09-2022.09（结题）
山西省留学人员管理办公室、山西省留学回国人员科研项目、金刚石半导体N型掺杂的第一性原理计算研究、5万、2020.08-2023.07（结题）
企业项目、基于紫砂磨料的光学玻璃抛光液研究、100万、2025.06-2026.06
企业项目、刻蚀机腔体内壁等离子体涂层制备技术研究、10万、2025.05-2027.05
企业项目、金刚石晶片缺陷的形成与辐照退火调控研究、38万、2020.10-2021.12
Material removal mechanism of quartz glass in chemical mechanical polishing by a CeO2/Y2O3-based slurry, Tribology International, 214 (2026) 111370 SCI一区（通讯）
Development and characterization of a novel alginate-based slurry and its fused silica CMP investigations, Ceramics International, 51 (2025) 27146–27155 SCI二区（通讯）
Effect of a novel alginate/5-aminovaleric acid slurry with CeO2/MoS2 abrasives on surface roughness and material removal rate of quartz glass, Applied Surface Science, 698 (2025) 163096 SCI二区（通讯）
Modulating MoS2 Substrate via d−p Orbital Hybridization Driven by π Electron Feedback Effect for Dual-Site Adsorption Enhancement of Formaldehyd, Langmuir, 41 (2025) 19873-19886 SCI二区（通讯）
Performance optimization design of diamond coating on WC-Co hard alloy substrate, Diamond and Related Materials, 158 (2025) 112626 SCI三区（通讯）
In-situ ion luminescence characterization of defects produced in diamond by 6 MeV carbon ion irradiation, Vacuum, 233 (2025) 113951 SCI三区（通讯）
Green chemical mechanical polishing of sapphire wafers utilizing h-BN assisted Al2O3 Abrasives, Materials Today Communications, 49 (2025) 113709 SCI三区（通讯）
Effect of a novel h-BN/SiO2 slurry on silicon surface roughness and material removal rate, Materials Science in Semiconductor Processing, 200 (2025) 109975 SCI三区（通讯）
Effective improvement chemical mechanical polishing for silicon wafers using nitrogen- containing heterocyclic compounds slurry, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 14(2025) 044010 SCI四区（通讯）
Study of photoluminescence from defects in electron-irradiated beta-Ga2O3, Applied Physics Letters, 125 (2024) 132106 SCI二区（通讯）
The near surface damage and recovery of low nitrogen diamond implanted with MeV phosphorus ions, Applied Surface Science, 661 (2024) 160080 SCI二区（通讯）
Effect of synergistic CeO2/MoS2 abrasives on surface roughness and material removal rate of quartz glass, Ceramics International, 50 (2025) 48671–48679 SCI二区（通讯）
Photoluminescence studies of the charge states of nitrogen vacancy centers in diamond after arsenic ion implantation and subsequent annealing, Journal of Applied Physics, 135 (2024) 195104 SCI三区（通讯）
The luminescence study of GeV centers and damage in diamond induced by 300keV Ge ion implantation, Vacuum, 222 (2024) 113074 SCI三区（通讯）
First-Principles Calculations of P-B Co-Doped Cluster N-Type Diamond, Crystals, 14 (2024) 467 SCI三区（通讯）
国家发明专利、一种金刚石本征缺陷扩散表征方法，ZL201910062988.7，第一，授权时间：2021年4月
宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色，科学出版社，ISBN: 978-7-03-057665-1，2020.07
陶瓷材料学，北京理工大学出版社，ISBN: 978-7-5763-1297-3，2022.05
山西省研究生教改项目、高校与科研院所深度融合的联合育人机制模式探索与实践、2万、2024.08-2026.07（主持、在研）
山西省研究生教改项目、教材建设-陶瓷材料学、1万、2021.10-2022.12（主持、结题）
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