近日，威廉希官网在芯片制造关键材料超精密抛光领域取得重要进展。研究成果以“Material removal mechanism of quartz glass in chemical mechanical polishing by a CeO₂/Y₂O₃-based slurry”为题，在国际摩擦学领域顶级期刊《Tribology International》（SCI一区TOP）上发表。该研究由威廉希官网博士生吕功为第一作者，王凯悦教授为通讯作者。

研究团队面向集成电路制造和高端光学装备对SiO₂材料超光滑表面的迫切需求，成功开发了一种基于CeO₂/Y₂O₃/MoS₂复合磨料的新型抛光液体系。研究显示，该抛光液可实现340 nm/min的材料去除率，同时将表面粗糙度降低至0.45 nm，显著提升了SiO₂材料的抛光效率和表面质量。微观分析表明，Y₂O₃的引入可有效提高抛光体系中Ce³⁺浓度，增强化学机械抛光的协同效应，而MoS₂纳米片的润滑作用则可显著减少表面损伤。

该研究工作得到了山西省留学人员科技活动择优资助项目、山西省重点研发计划项目、山西省科技重大专项“揭榜挂帅”项目等支持，为解决芯片制造领域关键材料的超精密加工提供了新的技术方案，在集成电路和先进光学制造领域具有重要的应用价值。

文章信息：

G. Lv, W. Li, C Wang, Z Zhang, T Liu and K Wang.Material removal mechanism of quartz glass in chemical mechanical polishing by a CeO₂/Y₂O₃-based slurry.Tribology International 216 (2026) 111370.

DOI:10.1016/j.triboint.2025.111370

全文链接：

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0301679X25008655